17 feb. 1999
1 minuut
Zoals al eerder verwachtt, richt de aandacht van de EHS-regels (EU Environment, Health and Safety Regulations) zich nu op twee III-V-halfgeleiders: galliumarsenide (GaAs) en indiumfosfide (InP). Deze materialen, en de gebruiksklare componenten die ermee zijn gemaakt, worden nu onderzocht. In afwachting van classificering kan niet worden uitgesloten dat beide halfgeleiderverbindingen zullen worden opgenomen in de lijst van substanties waarvoor toestemming is vereist om ze te gebruiken, of die zelfs helemaal van de markt gehaald moeten worden.
Nu is het niet zo dat de fabrikanten niet op de hoogte zouden zijn van het gevaar van sommige grondstoffen. Arseen is in pure vorm en in een aantal verbindingen extreem giftig en daarom is bij de productie van GaAs uiterste voorzichtigheid altijd al het motto geweest. Dat geldt ook voor de verwerking van de afvalproducten.
Omdat deze halfgeleiders niet bedoeld zijn voor massamarkten zijn er bijvoorbeeld voor GaAs op de hele wereld maar vier producenten, twee in Japan, een in China en een in Duitsland. Die laatste is Freiberger Compound Materials GmbH, die ongeveer 1/3 van de wereldmarkt bedient.
Maar beide halfgeleidermaterialen horen wel tot de belangrijke bouwstenen voor innovatieve nieuwe halfgeleiderproducten, die kleiner, sneller en ook efficiënter zijn dan silicium componenten. En ondanks alle onderzoek zijn er geen vervangers. Het zal enige inspanning kosten om politici en EU-instanties te overtuigen van het belang van deze materialen – en het gebrek aan alternatieven.
Anderen lazen ook
