Productnieuws

81 berichten in Vermogencomponenten

H-brug IGBT

Ook bij de tweede generatie Fastpack 0H van Tyco Electronics gaat het om een serie IGBT-modulen in H-brugconfiguratie en een flow 0-omhulling. De componenten zijn geschikt voor frequenties tot 250 kHz[...]

Mini-vermogenmosfet

Volgens Vishay kunnen de acht Powerpak-serie mosfets die het bedrijf heeft ontwikkeld evenveel vermogen dissiperen als hun ruim vijf maal meer oppervlakte innemende tegenhangers in SO8-behuizing, name[...]

Mosfet voor in de auto

Mosfet voor in de auto

Evenals de andere Mosfets in de FDB8800-reeks van Fairchild zijn de elf onlangs toegevoegde transistoren goedgekeurd conform de AEC-Q101-specificaties terwijl ze tevens voldoen aan de standaarden ISO/[...]

AC schakelaar

De nieuwe generatie AC schakelaars van STMicroelectronics is speciaal ontwikkeld voor het regelen van de verschillende AC belastingen veroorzaakt door verschillende soorten apparatuur. Toepassingen zi[...]

Audio tot 300 W

National Semiconductor introduceerde de LM4702, een stereo-audiochip voor het aansturen van de eindtrap in versterkers. Hoogvermogen transistoren of Darlington-paren kunnen rechtstreeks met het IC wor[...]

Vermogenmosfets

Polarpak, zo heet de omhulling die STMicroelectronics toepast om vermogentransistoren te verpakken en koel te houden. Inmiddels zijn de eerste componenten aangekondigd die daadwerkelijk in deze van ee[...]

Vermogen-Mosfet

Vermogen-Mosfet

STMicroelectronics heeft zijn vermogen-Mosfet STD95N04 in de eerste plaats ontwikkeld met het oog op voertuigapplicaties. Door vervaardiging met de zogenoemde Stripfett-techniek heeft de transistor ee[...]

Stralingsvaste Mosfet

Belangrijkste kenmerk van de R6-familie Mosfets van International Rectifier is dat ze bestand zijn tegen straling. Ze kunnen lineaire energieoverdracht tot 90 MeV doorstaan terwijl ook piekdoses [...]

GaN vermogenstransistoren

GaN Systems, ontwikkelaar van galliumnitride halfgeleider schakelingen is met Ecomal Europe een distributie-overeenkomst overeengekomen voor de GaN hoogvermogen vermogenstransistoren. [...]