17 feb. 1999
1 minuut
Met de op 1700 V siliciumcarbide technologie gebaseerde discrete componenten en vermogensmodulen kunnen volgens Microchip ontwerpers boven IGBT’s uitstijgen. Er zijn minder componenten nodig in plaats van de tweetraps topologieën, het rendement is hoger en de besturing eenvoudiger. Zonder schakelbeperkingen kunnen de spannings- omzettingseenheden aanzienlijk kleiner en minder zwaar uitvallen.
Tot de eigenschappen behoren poortoxidestabiliteit waarbij Microchip geen verschuiving van de drempelspanning vaststelde, zelfs na salvo’s van 100.000 impulsen in repeterende unclamped inductief schakelen (R-UIS) testen. Deze testen toonden tevens uitstekende lawinebestendigheid en parametrische stabiliteit aan met poortoxidestabiliteit, hetgeen betrouwbare werking over de levensduur van het systeem aangeeft.
Door de degradatie-vrije bodydiode is het niet nodig om een externe diode te gebruiken met de siliciumcarbide MOSFET. De bestandheid tegen kortsluiting, vergelijkbaar met IGBT’s, overleeft schadelijke elektrische piekspanningen. Een vlakkere RDS(on) kromme over de junction-temperatuur van 0 tot 175 °C maakt dat het vermogenssysteem met grotere stabiliteit werkt dan andere siliciumcarbide MOSFET’s die gevoeliger zijn voor temperatuurschommelingen.
Anderen lazen ook
