19 apr. 2013
0 minuten
De FD-SOI-technologie (‘Fully Depleted Silicon-on-Insulator’) op basis van de snel schakelende CMOS-siliciumsubstraten van Soitec vindt steeds bredere ingang nu universiteiten, researchlaboratoria en IC-ontwerpers toegang krijgen tot deze snelle schakelingen met lage energieconsumptie.
Na de 130 nm, 90 nm, 65 nm en 45 nm kan nu ook de 28 nm-technologie in IC-ontwerpen worden toegepast. De CMOS-technologie op basis van FD-SOI is een gezamenlijk project van de substratenleverancier Soitec, STMicroelectronics als (een nieuwe) producent van de bijbehorende wafers en CMP als een duplicatiehuis voor IC’s in lage volumes. Degenen die een volume wensen tussen een dozijn en enkele duizenden stuks, kunnen deze IC’s bij CMP laten maken. Daar waar Soitec vooral investeert in de geleiding en schakeling op de gebruikte materialen, wil STMicroelectronics inzetten op een makkelijke overstap voor bestaande ontwerpen naar FD-SOI.
Anderen lazen ook
