7 feb. 2011
1 minuut
De roadmap voor de lange termijn van de halfgeleiderindustrie voorziet dat er in 2012 voor het eerst 450-mm siliciumwafers zullen zijn. Dus binnen zo’n twee jaar zou het eerste prototype-productiesysteem moeten zijn gebouw. dat project is veel lastiger dan destijds de overgang van 200- naar 300-mm schijven. Het gaat om alle facetten van de productie, van de vervaardiging van de reusachtige wafers, via de ‘handling’ in de productie, tot de lithografie en het testen.
In Austin werken bij International Sematech veel grote chipfabrikanten en toeleveranciers samen aan de ontwikkeling van de 450-nm schijf. Sematech kon al waferhandlers tonen voor dergelijke wafers.
Parallel aan de vergroting van de diameter loopt ook de voortdurende verkleining van de structuren op de wafer zelf. Momenteel liggen die tussen 45 en 35 nm. Volgens de halfgeleider-roadmap daalt dat eerst tot 22 nm en dan misschien nog verder tot 16 nm.
Dat stelt de niet zo talrijke waferproducenten op de wereld in één klap voor twee problemen: de grotere schijven en de fijnere structuren daarop. Het betekent dat er extreem planaire siliciumschijven nodig zijn.
Bij Wacker Siltronic in Burghausen am Inn is door wetenschappers dr. Georg Pietsch en Michael Kerstan een nieuw slijpprocedé ontwikkelt waarmee zo’n ultravlakke siliciumschijf kan worden vervaardigd. ‘Planetery Pad Grinding’ (PPG) brengt twee – vroeger niet verenigbare – basisprocessen samen, namelijk vlaklappen en slijpen. Met het gepatenteerde procedé zijn veel testschijven vervaardigd met een hoge yield en tegen een concurrerende prijs. Aan beide uitvinders is daarom de "Alexander Wacker Innovatieprijs’ toegekend.[bild 6]
Anderen lazen ook
