17 feb. 1999
1 minuut
Bridgelux, ontwikkelaar en producent van led-verlichtingstechnologieën en -systemen, heeft zijn eigen record verbroken met de hoogste lumen/watt-waarde voor galliumnitride-op-silicium (GaN on Si).
Op basis van een eigen bufferlaagtechnologie demonstreerde het bedrijf de groei van gave GaN-lagen op 8-inch silicium wafers, zonder doorbuigen bij kamertemperatuur. Hiermee kunnen prestaties worden gehaald die vergelijkbaar zijn met de huidige state-of-the-art led’s op saffier-basis. Zo haalde Bridgelux met cool white led’s een rendement van 160 lm/W bij een kleurtemperatuur van 4350 K. Warm white led’s van van GaN-on-Si leverden 125 lm/W bij een kleurtemperatuur van 2940 K en een kleurweergave-index van 80.
Conventionele led’s worden gemaakt op een saffier- of SiC-substraat. Beide materialen zijn duurder dan silicium. Het aanbrengen van GaN op grotere, goedkopere silicium wafers die compatibel zijn met gangbare halfgeleiderproductieprocessen, kan leiden tot een kostenbesparing van 75% ten opzichte van de gangbare methoden.
"De prestaties die we nu hebben behaald zijn de hoogst gepubliceerde lm/W-waarden voor GaN-on-Si em kunnen wedijveren met de beste commerciële led’s op saffier- en siliciumcarbide-substraten," zegt dr. Steve Lester, CTO bij Bridgelux. "We zijn blij met onze voortgang op dit gebied en we zullen ons ontwikkelingswerk krachtig voortzetten. Onze eerste commerciële GaN-on-Si producten zullen binnen de komende twee jaar op de markt komen."
De thermische uitzettingscoëfficiënt van GaN is aanmerkelijk hoger dan die van silicium. Deze misaanpassing kan leiden tot barstjes in de epitaxiale lagen of doorbuigen van de wafer, zowel tijdens het aangroeien als bij kamertemperatuur. Bridgelux voorkomt dat met een zelf ontwikkeld bufferlaaprocess, dat barstvrije en vlakke wafers oplevert.
Anderen lazen ook
