17 feb. 1999
1 minuut
Een team Zuid-Koreaanse wetenschappers onder leiding van professor Keon Jae Lee van de Kaist-universiteit heeft een volledig functionerende flexibele, niet-vluchtige RAM-module ontwikkeld. De geheugencel kan worden geschreven, gelezen en gewist en is aangebracht op een flexibel plastic substraat.
De ontwikkeling van de geheugenmodule is een belangrijke stap in de realisatie van flexibele elektronica. Dit omdat geheugen een essentieel onderdeel is van elektronische systemen.
Overwinnen van interferentie
Er zijn al diverse materialen bekend die voor flexibel geheugen gebruikt kunnen worden, maar die konden nooit voorkomen dat er interferentie tussen de geheugencellen optrad. Deze interferentie had vaak te maken met structurele beperkingen van de gebruikte materialen. Om dit probleem op te lossen moeten schakelelementen als transistoren geïntegreerd worden in de geheugenelementen. Helaas zijn de prestaties van transistoren op plastic substraten vaak ondermaats, wat een reden is dat RAM-geheugen op een flexibele ondergrond tot op heden nooit werd gerealiseerd.
Volledig functionerende flexibele geheugencel
Het team van professor Lee heeft nu een volledig functionerende flexibele geheugencel ontwikkeld die niet lijdt onder interferentie. Ze losten het probleem van de interferentie tussen de cellen op door een memristor te integreren met een hoogwaardige één-kristal transistor van silicium. Door deze twee geavanceerde technologieën te gebruiken, konden ze aantonen dat alle geheugenfuncties zoals schrijven, lezen en wissen, perfect functioneerden.
Professor Lee: "Dit resultaat staat voor een spannende technologie, met een groot potentieel om alle toekomstige flexibele elektronische systemen te realiseren en in de toekomst een volledig buigzame computer te realiseren."
Anderen lazen ook
