Nexperia kiest Hamburg voor SiC en GaN

Halfgeleiderfabrikant Nexperia gaat 184 miljoen euro investeren in zijn Hamburgse fab. De investering is bestemd voor de ontwikkeling van de volgende generatie WBG-halfgeleiders (Wide Bandgap) zoals van siliciumcarbide (SiC) en galliumnitride (GaN), en het opzetten van de benodigde productie-infrastructuur.

Tegelijkertijd wordt de wafer-fabricagecapaciteit voor siliciumdiodes en -transistors verhoogd.

Om te voldoen aan de groeiende langetermijnvraag naar efficiënte vermogenshalfgeleiders, zullen alle drie de technologieën (SiC, GaN en Si) vanaf juni 2024 in Duitsland worden ontwikkeld en geproduceerd. SiC- en GaN-halfgeleiders zijn geschikt voor energieverslindende toepassingen als datacenters, dankzij hun energetisch rendement.

De eerste productielijnen voor hoogspanning GaN D-Mode transistors en SiC diodes zijn gestart in juni 2024. De volgende mijlpaal zijn moderne en kostenefficiënte 200 mm productielijnen voor SiC Mosfets en GaN Hemts, die er de komende twee jaar bijkomen. Na uitbreiding van de cleanroomruimtes worden nieuwe R&D-laboratoria gebouwd voor een soepele overgang naar 200 mm wafers.