IQE en X-FAB ontwikkelen marktrijp GaN power platform met schaalbaar uitbesteed productiemodel

IQE plc, de wereldwijde leverancier van samengestelde halfgeleiderwaferproducten en materiaaloplossingen, en X-FAB Silicon Foundries SE, de analoge/mixed-signal en specialty foundry, gaan een Europees-gebaseerde GaN Power device platformoplossing creëren.

In eerste instantie zullen IQE en X-FAB twee jaar samenwerken aan de ontwikkeling van een 650V GaN apparaat. De overeenkomst zal gebruik maken van IQE’s GaN epitaxy ontwerp en proces expertise, samen met X-FAB’s bewezen technologie ontwikkeling en apparaat fabricage mogelijkheden om een geoptimaliseerde technologie-substraat combinatie te bieden voor de auto-industrie, datacenter en consumententoepassingen.

Deze samenwerking zal fabless halfgeleiderbedrijven voorzien van een toonaangevend, kant-en-klaar GaN-platform dat hun innovatiecycli en time-to-market versnelt. De technologie zal ook dienen als basis voor toekomstige productontwikkeling, die verder gaat dan 650V om te voldoen aan de groeiende marktvraag naar vermogenselektronica.

Jutta Meier, Interim CEO en CFO van IQE, licht toe: “Voortbouwend op onze GaN epitaxy expertise en recente investering in extra GaN reactorcapaciteit, past deze overeenkomst in onze GaN diversificatiestrategie, vergroot het ons klantenbereik en versnelt het de time-to-market voor GaN Power toepassingen.”

“Door onze jarenlange expertise in GaN-apparaatfabricage en design enablement te combineren met IQE’s leiderschap op het gebied van epitaxy, creëren we een uniek, kant-en-klaar GaN Power-platform,” zegt Jörg Doblaski, CTO bij X-FAB. “In aanvulling op onze bestaande GaN-technologie, biedt deze samenwerking een aantrekkelijk alternatief voor bestaande supply chain-modellen en versterkt het de positie van Europa op het gebied van de volgende generatie power halfgeleidertechnologie.”