EPFL-onderzoekers hebben een galliumnitride-transistor ontwikkeld die bijna 4000 volt kan weerstaan. Daarmee laten ze zien dat hoge spanningen en compacte vermogenselektronica dichter bij elkaar kunne[...]

Bij ontwerpers van elektrische industriële aandrijfsystemen, die verantwoordelijk zijn voor bijna de helft van het wereldwijde elektriciteitsverbruik, ligt de focus meer dan ooit op efficiëntie. Bij[...]

In China zijn de prestaties van galliumnitride-(GaN) radarchips verbeterd met een geavanceerde superkoelingstechniek. Dit zou de prestatie van radarapparatuur met circa 40 % verhogen en is interessa[...]