Doorbraak in atomaire-dunne halfgeleiders: gecontroleerde doping op wafer-schaal nu mogelijk

Een Chinees onderzoeksteam heeft recent een doorbraak gerealiseerd op het gebied van 2D halfgeleiders. Ze kunnen grootschalige, gecontroleerd gedoopte MoS₂-films vervaardigen op industriële wafers [...]

Meer...
In