21 mrt. 2026
1 minuut
De BZPACK mSiC-vermogensmodules maken gebruik van de mSiC-technologie van Microchip, waarbij de Schottky-barrierdiode (SBD) direct is geïntegreerd in de MOSFET-structuur.
De BZPACK mSiC-vermogensmodules zijn ontworpen om te voldoen aan de strenge HV-H3TRB-normen (High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias). Uit testen blijkt dat ze de 1000-uren grens overtreffen. Dit maakt ze geschikt voor implementatie in robuuste industriële en hernieuwbare-energietoepassingen. Met een Comparative Tracking Index (CTI) van 600 V, een stabiele Rds(on) over het gehele temperatuurbereik en substraatopties als aluminiumoxide of aluminiumnitride bieden de modules superieure isolatie, thermisch beheer en duurzaamheid op lange termijn.
De modules zijn verkrijgbaar in een breed scala aan topologieën, waaronder halfbrug-, volledige brug-, driefase en PIM/CIB-configuraties, wat ontwerpers flexibiliteit biedt om te optimaliseren voor prestaties, kosten en systeemarchitectuur.
Om de productie te stroomlijnen en de complexiteit van het systeem te verminderen, hebben de modules een compact, basisplaatloos ontwerp met press-fit, soldeerloze aansluitingen en optioneel vooraf aangebracht Thermal Interface Material (TIM). Dit maakt snellere assemblage, verbeterde productieconsistentie en eenvoudigere multi-sourcing mogelijk via industriestandaard footprints.
Het laatste nieuws
⚠️ Geen vacatures gevonden.
Anderen lazen ook
