10 jul. 2015
0 minuten
Met de Siliconix Si8410DB wil Vishay een 20 V mosfet op de markt brengen die de laagste weerstand (on-resistance) kent ten opzichte van elke andere 20 V-component met een vierkante millimeter voetafdruk.
Zodoende kan deze mosfet een bijdrage leveren aan een zuiniger batterijverbruik, wat van belang is bij mobiele apparaten als smartphones, tablets en SSD’s (solid state drives). De Si8410DB heeft een weerstand van 37 mΩ bij 4,5 V, 41 mΩ bij 2,5 V, 47 mΩ bij 1,8 V en 68 mΩ bij 1,5 V. In vergelijking met componenten in een CSP-behuizing van een vierkante millimeter, betekent dit een verbetering van 26% bij 4,5 V, 32% bij 2,5 V, 35% bij 1,8 V en 32% bij 1,5 V. Bij een DFN-behuizing van een vierkante millimeter is de weerstand 32% lager bij 4,5 V, 40% lager bij 2,5 V, 48% lager bij 1,8 V en 43% lager bij 1,5 V.
Anderen lazen ook
