16 jun. 2020
0 minuten
Anvo-Systems Dresden introduceert de ANV32A62ASE1 seriële niet-vluchtige SRAM met I²C-interface, een opslagcapaciteit van 64 Kb en een kloksnelheid van 1 MHz. De geheugencomponent heeft een typisch stroomgebruik van 0,5 mA, werkt bij 3,3 V en is geschikt voor temperaturen tussen -40 °C en +105 °C.
Hij is intern georganiseerd middels 8k woorden van 8-bit. Ieder SRAM-geheugen bevat een niet-vluchtig Sonos-opslagelement. Bij een onvoorziene spanningsval zorgt de Sonos-technologie voor opslag van alle data. De component kenmerkt zich door korte toegangs- en cyclustijden en een schier onbeperkte lees- en schrijf cycli van de SRAM-cellen. Functies als ‘hardware data protection’ en ‘continuous write operation’ dragen bij aan een hoge mate van betrouwbaarheid en efficiency. Het geheugen zit in een 8-pins 150 mil SOIC-behuizing.
Anderen lazen ook
