10 mrt. 2025
1 minuut
Imec heeft de eerste elektrische testresultaten (e-test) vrijgegeven met de High NA EUV-machines van ASML. Die machines moeten in de toekomst chipproductie op nodes onder de 2 nm mogelijk maken.
Volgens het onderzoeksinstituut tonen zowel metingen op serpentine- als op fork-fork-gebaseerde metaalstructuren een hoge elektrische opbrengst aan. ‘Dat wijst op een laag aantal stochastische defecten. Deze e-testresultaten bevestigen de capaciteiten van de High NA EUV lithografie-scanner en het bijbehorende ecosysteem om structuren van dergelijke kleine afmetingen betrouwbaar te produceren.’
Steven Scheer, senior vice-president R&D bij imec: “Dit is de eerste demonstratie van elektrische opbrengst op 20nm pitch metaalbanen met behulp van High NA EUV single patterning. Deze resultaten vormen een initiële validatie van de capaciteiten van High NA EUV lithografie en het bijbehorende ecosysteem, inclusief geavanceerde resists, fotomaskers, metrologie-technieken, (anamorfische) beeldvorming, optische proximity-correctie (OPC) en geïntegreerde etstechnieken. We blijven samenwerken met onze partners om verdere verbeteringen in de opbrengst te realiseren en deze technologie over te dragen naar productiepartners.”
Ecosysteem
Het imec-ASML High NA EUV ecosysteem omvat toonaangevende chipfabrikanten, materiaalleveranciers, resistontwikkelaars, maskerspecialisten en metrologie-experts. Samen werken zij aan de ontwikkeling en optimalisatie van High NA EUV-lithografie voor de productie van de volgende generatie halfgeleiders op het sub-2nm knooppunt.
Wetenschappelijke publicaties en verdere ontwikkelingen
Deze resultaten zijn gepresenteerd in twee wetenschappelijke papers op de SPIE Advanced Lithography + Patterning conferentie:
- Paper 13424-31 – Probing defects in metal oxide resists with an electrical yield vehicle
- Paper 13424-51 – Advanced PnR logic patterning enabled by high-NA EUV lithography
Het laatste nieuws
Anderen lazen ook
