1 april: Aanscherping exportcontrole op geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders

Nederland past per 1 april 2025 de nationale exportcontrolemaatregel aan voor geavanceerde productieapparatuur voor halfgeleiders. Vanaf die datum geldt voor meer soorten technologie een nationale vergunningplicht.

Binnen in een EUV-machine. Foto: ASML

Het gaat bijvoorbeeld om specifieke meet- en inspectieapparatuur die gebruikt kunnen worden bij de productie van geavanceerde halfgeleiders. Dat heeft minister Reinette Klever (Buitenlandse Handel en Ontwikkelingshulp) woensdag 15 januari bekendgemaakt in de Staatscourant. De uitbreiding van de maatregel is gericht op een zeer beperkt aantal technologieën en goederen.

De nieuwe vergunningplicht is de 2e aanpassing van de nationale exportcontrolemaatregel die sinds 1 september 2023 geldt.

Er zijn daarnaast juridisch-technische en tekstuele aanpassingen in de ministeriële regeling doorgevoerd, onder meer om de bestaande maatregel voor uitvoeringsinstanties en de industrie te verduidelijken.

Minister Klever: “We vinden het belangrijk dat we controle behouden over wie welke technologie in handen krijgt. Als kabinet houden we de technologie voor de productie voor halfgeleiders heel goed in de gaten. Bij technologische ontwikkelingen kan het nodig zijn ook de regels aan te passen. We zien meer veiligheidsrisico’s bij ongecontroleerde export van deze specifieke apparatuur. Daarom is hiervoor voortaan een exportvergunning nodig.”

Veiligheidsrisico’s

Tot op heden zag de nationale maatregel toe op een aantal zeer specifieke technologieën in de productiecyclus van halfgeleiders, zoals de zogenoemde lithografische apparatuur. Een beperkte set technologieën voor andere stappen in het productieproces wordt nu ook vergunningplichtig*.

De veiligheidsrisico’s van ongecontroleerde export van deze technologie zijn toegenomen. Zij kan worden gecombineerd met technologieën uit andere landen om geavanceerde halfgeleiders te maken. Zulke geavanceerde halfgeleiders kunnen op hun beurt weer een belangrijke rol spelen in geavanceerde militaire toepassingen.

Vergunningen

De nationale vergunningplicht houdt in dat ook bij de export van deze technologieën voortaan een exportvergunning moet worden aangevraagd. Het kabinet bepaalt per aanvraag of de vergunning wordt toegekend. De nationale maatregel geldt voor uitvoer uit Nederland naar alle bestemmingen buiten de EU. Er is geen sprake van een exportverbod.

*Lijst van vergunningsplichtige productieapparatuur (bron: Staatscourant):

Productieapparatuur, programmatuur en technologie voor halfgeleiderelementen of materialen, niet gecontroleerd onder 3B001, 3D001, 3D002 en 3E001 van bijlage I bij de Verordening producten voor tweeërlei gebruik, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor:

3B001.lEUV pellicles
3B001.mProductieapparatuur voor EUV pellicles
3B001.f.4Lithografische apparatuur, als hieronder: a. repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met één of beide van de volgende eigenschappen: 1. golflengte van de lichtbron korter dan 193 nm, of 2. golflengte van de lichtbron gelijk aan of groter dan 193 nm: a. in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; en b. een maximale ‹dedicated chuck overlay› (DCO) waarde kleiner dan of gelijk aan 1.50 nm. Technische noot: 1. De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule: waarbij de K-factor = 0,25 (MRF) is zelfde als resolutie. 2. DCO is de mate van accuraatheid van uitlijning van een nieuw patroon op een bestaand patroon belicht op een wafer door hetzelfde lithografische systeem.
3B001.d.12Apparatuur voor atomaire-lagen-afzetting (ALD) van ‘uittreearbeid’ metalen a. met alle van de volgende eigenschappen: 1. Meer dan één metaalbron waarvan één is ontwikkeld voor een aluminium (AI) uitgangsstof (‹precusor›); en 2. Uitgangsstofvat ontworpen voor temperaturen hoger dan 45 °C; en b. Ontworpen voor afzetting van ‘uittreearbeid’ metalen met alle van de volgende eigenschappen: 1. Afzetting van titanium aluminium carbide (TiAlC); en 2. De mogelijkheid tot een ‘uittreearbeid’ hoger dan 4.0eV. Technische noot: 1. ‘uittreearbeid metaal’ is een materiaal dat de drempelspanning van een transistor reguleert.
3B001.a.4Apparatuur ontworpen voor epitaxiale groei van silicium (Si), koolstof-gedoteerd silicium, siliciumgermanium (SiGe), of koolstof-gedoteerd SiGe a. met alle van de volgende eigenschappen: 1. Meerdere kamers en middelen voor hoog-vacuüm (minder dan of gelijk aan 0.01 Pa) of een inerte atmosfeer (water en zuurstof partieeldruk minder dan 0.01 Pa) te handhaven tussen processtappen; 2. Tenminste één voorbehandelingskamer ontworpen voor oppervlaktevoorbereidingen bedoeld om de oppervlakte van wafers te reinigen; en 3. Epitaxiale afzettingswerktemperatuur van 685 °C of lager.
3B001.d.19Apparatuur ontworpen voor het middels void-vrije-plasma versterkt afzetten van een laag diëlektricum met lage-κ zonder leegtes in ruimten van minder dan 25 nm breed met een diepte/hoogte verhouding (‹aspect ratio, AR›) gelijk aan of groter dan 1:1 tussen metalen lijnen met een diëlektrische constante lager dan 3.3
3D007Programmatuur speciaal ontworpen voor de ontwikkeling, de productie of het gebruik van de apparatuur die is vermeld in deze regeling onder post 3B001.l, 3B001.m, 3B001.f.4, 3B001.d.12, 3B001.a.4 of 3B001.d.19.
3E005Technologie die noodzakelijk is voor de ontwikkeling, productie of het gebruik van apparatuur, vermeld in deze regeling onder post 3B001.l, 3B001.m, 3B001.f.4, 3B001.d.12, 3B001.a.4 of 3B001.d.19.

Geef een reactie

Je e-mailadres wordt niet gepubliceerd. Vereiste velden zijn gemarkeerd met *