17 feb. 1999
1 minuut
Voor de volgende generatie elektronische apparatuur hebben we computerchips nodig van slechts een paar atomen dik. Dat lukt niet met silicium. Onderzoekers aan de Stanford Universiteit hebben echter twee ultradunne halfgeleiders gevonden met veelbelovende eigenschappen.
De onderzoekers noemen hafniumdiselenide en zirkoniumdiselenide in sommige opzichten zelfs beter dan silicium. De halfgeleidermaterialen lenen zich voor functionele circuits van slechts drie atomen dik (dat is tweederde nanometer, terwijl de dunste siliciumchip vijf nanometer meet) en ze vragen minder energie. Ook heeft de bandkloof precies de juiste waarde.
Daarbij hebben ze een belangrijke eigenschap gemeen met silicium: ze ‘roesten’ licht bij blootstelling aan de lucht zodat ze tijdens het productieproces zelf een isolerende laag creëren. Dit is belangrijk omdat deze laag anders kunstmatig moet worden toegevoegd. En dat is nog geen sinecure. Volgens professor Eric Pop oxideren de nieuwe beloftes zelfs iets beter dan silicium. "Ze vormen hoge-K isolatoren, waardoor ze met minder stroom werken dan silicium."
Er moet nog het een en ander worden doorontwikkeld, maar de eerste stap naar energiezuinige, ultradunne chips is gezet. De onderzoekers denken dat hun materiaal kan worden ingebouwd in tien keer kleinere transistors dan nu.
Anderen lazen ook
